Halbleiterbauelement mit Programmierbarer Logikeinrichtung, Gestapelten Nand- und Dram-Speichern und Verfahren zu deren Herstellung

EP3891807 Art B1 4. Dezember 2024

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3891807
Aktenzeichen
EP19925467
Anmeldetag
25. Oktober 2019
Veröffentlichung
4. Dezember 2024
Erteilung
4. Dezember 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H01L25/18H01L25/065H01L23/485// H10B10/00H10B12/00H10B43/40H01L21/78H01L23/48
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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