Programmierung eines Dreidimensionalen Speichers mit Reduzierter Störung

EP3899950 Art B1 13. Dezember 2023

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3899950
Aktenzeichen
EP19923391
Anmeldetag
29. Mai 2019
Veröffentlichung
13. Dezember 2023
Erteilung
13. Dezember 2023
Rechtsraum
EP
IPC
G11C16/12G11C16/04G11C16/08G11C16/10G11C16/34H10B43/27H10B43/40
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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