Hybrides Waferbondingverfahren und Struktur dafür
EP3900019
Art B1
2. April 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3900019
- Aktenzeichen
- EP20913068
- Anmeldetag
- 17. Februar 2020
- Veröffentlichung
- 2. April 2025
- Erteilung
- 2. April 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/18H01L23/48H01L23/535H01L21/768H01L23/00H01L23/532
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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