Verfahren und Struktur zur Dielektrischen Metallverbindung
EP3900028
Art B1
4. Dezember 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3900028
- Aktenzeichen
- EP20912645
- Anmeldetag
- 7. Januar 2020
- Veröffentlichung
- 4. Dezember 2024
- Erteilung
- 4. Dezember 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L23/528H01L23/00H01L23/36// H01L23/373H01L27/146
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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