Neuartige Siliziumdurchkontaktierungsstruktur und Verfahren zur Formung davon
EP3903346
Art B1
3. April 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3903346
- Aktenzeichen
- EP19915776
- Anmeldetag
- 18. Februar 2019
- Veröffentlichung
- 3. April 2024
- Erteilung
- 3. April 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/48H01L21/768H01L21/762H01L23/485H01L23/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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