Dreidimensionale Speichervorrichtung mit Statischem Direktzugriffsspeicher
EP3909075
Art B1
1. Januar 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3909075
- Aktenzeichen
- EP19929880
- Anmeldetag
- 17. Mai 2019
- Veröffentlichung
- 1. Januar 2025
- Erteilung
- 1. Januar 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/10H01L25/065H01L25/18H01L25/00H01L23/00G11C11/417G11C16/04H10B10/00H10B43/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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