Verfahren zur Herstellung einer Optoelektronischen Vorrichtung, die eine Vielzahl von Dioden aus Galliumnitrid Umfasst

EP3913680 Art B1 23. Juli 2025

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, THALES 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3913680
Aktenzeichen: EP21183598
Anmeldetag: 13. Mai 2016
Veröffentlichung: 23. Juli 2025
Erteilung: 23. Juli 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10H29/01// H10H29/03H10H29/80H10H29/14H10H20/01

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
THALES
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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🇫🇷 Thales

Französischer Technologiekonzern mit Sitz in Paris, aktiv in Luft- und Raumfahrt, Verteidigungstechnik, Sicherheitstechnologie sowie Bahn- und Kommunikationssystemen für zivile und militärische Anwendungen.

3.469 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von