Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
EP3915145
Art B1
13. März 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3915145
- Aktenzeichen
- EP19943801
- Anmeldetag
- 28. August 2019
- Veröffentlichung
- 13. März 2024
- Erteilung
- 13. März 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/535H01L23/48H01L21/768H10B43/00H01L21/683H01L23/00H01L27/06H10B41/27H10B41/50H10B43/27H10B43/50
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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