Leistungs-Mosfet mit Niedrigem Leckstrom und Verfahren zur Herstellung des Leistungs-Mosfets

EP3916800 Art A1 1. Dezember 2021

Anmelder: STMicroelectronics Pte Ltd. 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3916800
Aktenzeichen: EP21174461
Anmeldetag: 18. Mai 2021
Veröffentlichung: 1. Dezember 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/40H01L29/66H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics Pte Ltd.
Land: 🇸🇬 Singapur

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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