Zur Reduzierung der Lesezeit Fähiges Speichersystem
EP3918599
Art B1
5. Juli 2023
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3918599
- Aktenzeichen
- EP19927449
- Anmeldetag
- 30. April 2019
- Veröffentlichung
- 5. Juli 2023
- Erteilung
- 5. Juli 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/24G11C7/12G11C16/28G11C16/30
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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