Speichervorrichtung

EP3924967 Art B1 26. Juni 2024

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3924967
Aktenzeichen
EP20913067
Anmeldetag
17. April 2020
Veröffentlichung
26. Juni 2024
Erteilung
26. Juni 2024
Rechtsraum
EP
IPC
G11C8/08G11C16/08H10B41/50H10B43/50
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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