Dram-Speichervorrichtung mit Xtacking-Architektur
EP3925003
Art B1
4. September 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3925003
- Aktenzeichen
- EP20920028
- Anmeldetag
- 20. Februar 2020
- Veröffentlichung
- 4. September 2024
- Erteilung
- 4. September 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L25/16H01L21/98H10B12/00// H01L23/485
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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