Verfahren zum Dünnen eines Halbleitersubstrats mit Hoher Ebenheit und Halbleitersubstrat mit einer Vorrichtungsschicht mit Hoher Ebenheit

EP3926661 Art B1 12. Februar 2025

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3926661
Aktenzeichen: EP20179998
Anmeldetag: 15. Juni 2020
Veröffentlichung: 12. Februar 2025
Erteilung: 12. Februar 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/306H01L27/146

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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