Poröses Amorphes Silicium, Verfahren zur Herstellung von Porösem Amorphem Silicium und Sekundärbatterie
EP3950587
Art A1
9. Februar 2022
Anmelder: Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3950587
- Aktenzeichen
- EP19921439
- Anmeldetag
- 13. September 2019
- Veröffentlichung
- 9. Februar 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C01B33/02C01B33/021H01M4/38C21D9/52C22C21/02H01M10/0525H01M4/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tohoku University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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Vertreten von
-
Plougmann Vingtoft a/s
Plougmann Vingtoft a/s · Hellerup