Leistungs-Mosfet mit Geteiltem Gate-Graben mit Selbstausgerichteter Poly-Zu-Poly-Isolation

EP3955311 Art A1 16. Februar 2022

Anmelder: STMicroelectronics Pte Ltd. 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3955311
Aktenzeichen: EP21189249
Anmeldetag: 3. August 2021
Veröffentlichung: 16. Februar 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/40H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics Pte Ltd.
Land: 🇸🇬 Singapur

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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