Verfahren und Anlage zum Ziehen eines Einkristalls nach dem Fz-Verfahren

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP3957774

Aktenzeichen

EP20191715

Anmeldetag

19. August 2020

Veröffentlichung

7. Dezember 2022

Erteilung

7. Dezember 2022

Rechtsraum

EP

IPC

C30B13/20C30B13/24C30B29/06

Abstract

Verfahren und Anlage zum Ziehen eines Einkristalls (103) nach dem FZ-Verfahren, bei dem ein Stab aus polykristallinem Halbleitermaterial (101) mittels einer elektromagnetischen Schmelzvorrichtung (210) geschmolzen und anschließend als Einkristall auskristallisiert wird,wobei mittels einer Zusatzheizvorrichtung (230) eine in Umfangsrichtung (Ru) des Einkristalls (103) auftretende, ungleichmäßige Verteilung der Temperatur des Einkristalls (103) zumindest teilweise ausgeglichen wird,dadurch gekennzeichnet, dass der Einkristall (100) mittels der Zusatzheizvorrichtung (230) selektiv an kälteren Positionen seines Umfangs zusätzlich erhitzt wird.

Anmelder

Firma

Siltronic AG

Land

🇩🇪 Deutschland

Fachgebiete