Verfahren zum Abscheiden einer Epitaktischen Schicht auf einer Substratscheibe

EP3957776 Art B1 18. Juni 2025

Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3957776
Aktenzeichen
EP20191322
Anmeldetag
17. August 2020
Veröffentlichung
18. Juni 2025
Erteilung
18. Juni 2025
Rechtsraum
EP
IPC
C30B25/12C23C16/458C30B25/18C30B29/06H01L21/66C23C16/52
Offizieller Volltext

Abstract

Verfahren zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht auf einer Substratscheibe aus einer Gasphase, umfassend das Messen einer Randgeometrie der Substratscheibe, die einem Rand der Substratscheibe in Abhängigkeit von Randpositionen einen Dickenkennwert zuweist; das Ablegen der Substratscheibe in eine Tasche eines Suszeptors einer Vorrichtung zum Abscheiden der epitaktischen Schicht, wobei die Tasche von einer Begrenzung mit kreisförmigem Umfang umgeben ist; das Erhitzen der Substratscheibe; und das Leiten von Prozessgas über die Substratscheibe; gekennzeichnet durch das Ablegen der Substratscheibe in die Tasche derart, dass ein Abstand, den die Substratscheibe zur Begrenzung der Tasche hat, an Randpositionen mit dem Dickenkennwert eines dickeren Rands kleiner ist, als an Randpositionen mit dem Dickenkennwert eines dünneren Rands.

Anmelder

Firma
Siltronic AG
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Siltronic

Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.

281 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen