Verfahren zum Abscheiden einer Epitaktischen Schicht auf einer Substratscheibe
Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3957776
- Aktenzeichen
- EP20191322
- Anmeldetag
- 17. August 2020
- Veröffentlichung
- 18. Juni 2025
- Erteilung
- 18. Juni 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B25/12C23C16/458C30B25/18C30B29/06H01L21/66C23C16/52
Abstract
Verfahren zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht auf einer Substratscheibe aus einer Gasphase, umfassend das Messen einer Randgeometrie der Substratscheibe, die einem Rand der Substratscheibe in Abhängigkeit von Randpositionen einen Dickenkennwert zuweist; das Ablegen der Substratscheibe in eine Tasche eines Suszeptors einer Vorrichtung zum Abscheiden der epitaktischen Schicht, wobei die Tasche von einer Begrenzung mit kreisförmigem Umfang umgeben ist; das Erhitzen der Substratscheibe; und das Leiten von Prozessgas über die Substratscheibe; gekennzeichnet durch das Ablegen der Substratscheibe in die Tasche derart, dass ein Abstand, den die Substratscheibe zur Begrenzung der Tasche hat, an Randpositionen mit dem Dickenkennwert eines dickeren Rands kleiner ist, als an Randpositionen mit dem Dickenkennwert eines dünneren Rands.
Anmelder
- Firma
- Siltronic AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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