Verfahren zur Erzeugung einer Germaniumstruktur und Optische Vorrichtung mit einer Germaniumstruktur
EP3961729
Art B1
18. Oktober 2023
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3961729
- Aktenzeichen
- EP20193700
- Anmeldetag
- 31. August 2020
- Veröffentlichung
- 18. Oktober 2023
- Erteilung
- 18. Oktober 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/109H01L31/105H01L31/18H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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