Lokale Kontakte Dreidimensionaler Speichervorrichtungen und Herstellungsverfahren dafür
EP3963630
Art B1
27. Dezember 2023
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3963630
- Aktenzeichen
- EP20915213
- Anmeldetag
- 20. Januar 2020
- Veröffentlichung
- 27. Dezember 2023
- Erteilung
- 27. Dezember 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B43/27H01L23/538
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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