Verfahren zur Abscheidung einer Silizium-Germanium-Schicht auf einem Substrat
EP3965141
Art A1
9. März 2022
Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3965141
- Aktenzeichen
- EP20194591
- Anmeldetag
- 4. September 2020
- Veröffentlichung
- 9. März 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Siltronic AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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