Lateral Diffundierter Metalloxidhalbleitertransistor und Verfahren dafür
EP3975264
Art A1
30. März 2022
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3975264
- Aktenzeichen
- EP21196027
- Anmeldetag
- 10. September 2021
- Veröffentlichung
- 30. März 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/06H01L29/40H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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