Photoresist mit mehreren Strukturierenden Strahlungsabsorbierenden Elementen Und/oder einem Vertikalen Zusammensetzungsgradienten

EP3990982 Art A1 4. Mai 2022

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3990982
Aktenzeichen
EP20831242
Anmeldetag
24. Juni 2020
Veröffentlichung
4. Mai 2022
Rechtsraum
EP
IPC
G03F7/004G03F7/16G03F7/20
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Lam Research Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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