Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Anmelder: STMicroelectronics S.r.l., STMicroelectronics International N.V. 🇮🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4005972
- Aktenzeichen
- EP21211139
- Anmeldetag
- 29. November 2021
- Veröffentlichung
- 20. November 2024
- Erteilung
- 20. November 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B81C1/00H04R1/08
Abstract
A semiconductor device includes: a substrate (2); a transduction microstructure (3) integrated in the substrate (2); a cap (5) joined to the substrate (2) and having a first face (5a) adjacent to the substrate (2) and a second, outer, face (5b); and a channel (15) extending through the cap (5) from the second face (5b) to the first face (5a) and communicating with the transduction microstructure (3). A protective membrane (17) made of porous polycrystalline silicon permeable to aeriform substances is set across the channel (15).
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics S.r.l.
STMicroelectronics International N.V. - Land
- 🇮🇹 Italien
Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
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Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
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Fachgebiete
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