Transistorvorrichtung mit Hoher Elektronenbeweglichkeit mit einer Aluminiumdotierten Pufferschicht

EP4016640 Art A1 22. Juni 2022

Anmelder: QORVO US, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4016640
Aktenzeichen: EP21211324
Anmeldetag: 30. November 2021
Veröffentlichung: 22. Juni 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/201H01L29/778// H01L29/20H01L29/207

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: QORVO US, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Qorvo US

Qorvo US ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in North Carolina, spezialisiert auf HF-Bauelemente für Mobilfunk und Netzwerktechnik. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Schaltungstechnik sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Nachrichtentechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2011 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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