Source-Drain-Elektrode für Organisches Halbleiterbauelement, Organisches Halbleiterbauelement damit und Herstellungsverfahren für Source-Drain-Elektrode und Halbleiterbauelement

EP4027373 Art A1 13. Juli 2022

Anmelder: The University of Tokyo 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4027373
Aktenzeichen: EP20861639
Anmeldetag: 18. Juni 2020
Veröffentlichung: 13. Juli 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/28H10K71/60H10K71/80H10K19/10H10K10/46// H10K85/60

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The University of Tokyo
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 University of Tokyo

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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