Verfahren zur Herstellung von Zonen auf Sige-Basis mit Unterschiedlichen Ge-Konzentrationen
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4033517
- Aktenzeichen
- EP22153163
- Anmeldetag
- 25. Januar 2022
- Veröffentlichung
- 10. Dezember 2025
- Erteilung
- 10. Dezember 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D84/03
Abstract
The invention relates to a method for forming SiGe-based regions having different Ge concentrations. After defining regions 1, 2 on an SOI substrate, an array of masking patterns is formed on at least one region 2. After epitaxy of a Ge-based layer in each of the regions, a first vertical diffusion is performed. A second horizontal diffusion is then performed so that the Ge diffuses under the masking patterns of region 2. Thus, region 2 has a reduced Ge concentration compared to the Ge concentration of region 1.
Anmelder
- Firma
- Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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Fachgebiete
Stammsitz in Nizza, zusätzlich in Grenoble, Sophia Antipolis, Paris und mit Vertretung in Monaco. Zugelassen bei INPI, EPA, WIPO und dem monegassischen Patentamt, mit breiter Mandantschaft von Start-ups bis Großkonzernen.
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