Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mittels Nassätzung und Trockenätzung und Halbleiterbauelement
EP4033518
Art B1
6. November 2024
Anmelder: Infineon Technologies Austria AG 🇦🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4033518
- Aktenzeichen
- EP21153306
- Anmeldetag
- 25. Januar 2021
- Veröffentlichung
- 6. November 2024
- Erteilung
- 6. November 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/3213H01L23/532H01L21/768H01L23/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies Austria AG
- Land
- 🇦🇹 Österreich
🇦🇹
Infineon Technologies Austria
Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.
680 Patente in unserer Datenbank