Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung davon
EP4033519
Art A1
27. Juli 2022
Anmelder: Hitachi, Ltd., Toyo Tanso Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4033519
- Aktenzeichen
- EP20864989
- Anmeldetag
- 18. Juni 2020
- Veröffentlichung
- 27. Juli 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/336H01L21/324H01L29/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Hitachi, Ltd.
Toyo Tanso Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi
Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.
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