Verfahren zum Waferbonden und Halbleiterbauelementverbund

EP4033521 Art A1 27. Juli 2022

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4033521
Aktenzeichen: EP21153413
Anmeldetag: 26. Januar 2021
Veröffentlichung: 27. Juli 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/683// H01L23/488H01L21/60H01L25/065

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.872 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von