Substratoberflächenmodifikation mit Hohen Euv-Absorbern für Hochleistungs-Euv-Photoresists

EP4038454 Art A2 10. August 2022

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4038454
Aktenzeichen: EP20870849
Anmeldetag: 1. Oktober 2020
Veröffentlichung: 10. August 2022
Rechtsraum: EP
IPC: G03F7/09G03F7/075G03F7/16G03F7/20G03F7/11

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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