Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

EP4044213 Art A3 2. November 2022

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4044213
Aktenzeichen: EP22166443
Anmeldetag: 5. Juni 2013
Veröffentlichung: 2. November 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/329H01L29/872H01L29/47H01L29/16H01L29/417// H01L29/06H01L29/40

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von