Durchgangsöffnungsrektifikation mittels Lamellarem Triblockcopolymer, Polymernanokomposit oder Gemischter Epitaxie

EP4044219 Art B1 16. Juli 2025

Anmelder: Intel Corporation, INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4044219
Aktenzeichen
EP21208872
Anmeldetag
17. November 2021
Veröffentlichung
16. Juli 2025
Erteilung
16. Juli 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/768H01L21/027
Offizieller Volltext

Abstract

Methods for forming via openings by using a lamellar triblock copolymer, a polymer nanocomposite, and a mixed epitaxy approach are disclosed. An example method includes forming a guiding pattern (e.g., a topographical guiding pattern, chemical guiding pattern, or mixed guiding pattern) on a surface of a layer of an IC device, forming lamellar structures based on the guiding pattern by using the lamellar triblock copolymer or forming cylindrical structures based on the guiding pattern by using the polymer nanocomposite, and forming via openings by removing a lamella from each of at least some of the lamellar structures or removing a nanoparticle from each of at least some of the cylindrical structures.

Anmelder

Firmen
Intel Corporation
INTEL Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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