Durchgangsöffnungsrektifikation mittels Lamellarem Triblockcopolymer, Polymernanokomposit oder Gemischter Epitaxie
Anmelder: Intel Corporation, INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4044219
- Aktenzeichen
- EP21208872
- Anmeldetag
- 17. November 2021
- Veröffentlichung
- 16. Juli 2025
- Erteilung
- 16. Juli 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L21/027
Abstract
Methods for forming via openings by using a lamellar triblock copolymer, a polymer nanocomposite, and a mixed epitaxy approach are disclosed. An example method includes forming a guiding pattern (e.g., a topographical guiding pattern, chemical guiding pattern, or mixed guiding pattern) on a surface of a layer of an IC device, forming lamellar structures based on the guiding pattern by using the lamellar triblock copolymer or forming cylindrical structures based on the guiding pattern by using the polymer nanocomposite, and forming via openings by removing a lamella from each of at least some of the lamellar structures or removing a nanoparticle from each of at least some of the cylindrical structures.
Anmelder
- Firmen
- Intel Corporation
INTEL Corporation - Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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