Siliziumkarbid-Mosfet-Vorrichtung mit Vertikaler Leitung mit Verbesserter Gate-Vorspannungsstruktur und Verfahren zur Herstellung davon

EP4047664 Art B1 29. Januar 2025

Anmelder: STMicroelectronics S.r.l. 🇮🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4047664
Aktenzeichen: EP22155166
Anmeldetag: 4. Februar 2022
Veröffentlichung: 29. Januar 2025
Erteilung: 29. Januar 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/423H01L29/78H01L21/336H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics S.r.l.
Land: 🇮🇹 Italien

🇮🇹 STMicroelectronics Italy

Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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