Verfahren zur Bildung von Abstandhaltern eines Gates eines Transistors
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4050642
- Aktenzeichen
- EP22158669
- Anmeldetag
- 24. Februar 2022
- Veröffentlichung
- 4. September 2024
- Erteilung
- 4. September 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/311
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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Fachgebiete
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