Entwurf Vergrabener Zener-Diode
EP4053885
Art A1
7. September 2022
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4053885
- Aktenzeichen
- EP22159189
- Anmeldetag
- 28. Februar 2022
- Veröffentlichung
- 7. September 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/329H01L29/866// H01L29/167
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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