Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit einer Lotstoppstruktur, Substrat mit einer Lotstoppstruktur und Elektronische Vorrichtung

EP4053886 Art A1 7. September 2022

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4053886
Aktenzeichen: EP21160023
Anmeldetag: 1. März 2021
Veröffentlichung: 7. September 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/48H01L23/498

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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