Ldmos mit Verbesserter Durchbruchleistung
EP4057360
Art B1
28. Mai 2025
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4057360
- Aktenzeichen
- EP22159958
- Anmeldetag
- 3. März 2022
- Veröffentlichung
- 28. Mai 2025
- Erteilung
- 28. Mai 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D30/01H10D30/60H10D30/65H10D30/67H10D62/10H10D64/27H10D62/13H10D64/00H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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