Halbleitervorrichtungsgehäuse mit Galvanischer Trennung und Verfahren dafür

EP4064344 Art A3 22. Februar 2023

Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4064344
Aktenzeichen
EP22157658
Anmeldetag
21. Februar 2022
Veröffentlichung
22. Februar 2023
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/64H01L23/538H01L25/065H01L25/18// H01L23/31H01L23/62H05K1/16
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
NXP USA, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 NXP USA

US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.

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