Gate-Kontaktstruktur für Graben-Mosfet mit Geteilter Gate-Konfiguration

EP4071826 Art A1 12. Oktober 2022

Anmelder: STMicroelectronics Pte Ltd. 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4071826
Aktenzeichen: EP22166429
Anmeldetag: 4. April 2022
Veröffentlichung: 12. Oktober 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/423H01L29/78H01L29/06// H01L29/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics Pte Ltd.
Land: 🇸🇬 Singapur

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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