Verfahren zum Herstellen von Halbleiterscheiben mit aus der Gasphase Abgeschiedener Epitaktischer Schicht in einer Abscheidekammer
EP4074861
Art A1
19. Oktober 2022
Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4074861
- Aktenzeichen
- EP21168168
- Anmeldetag
- 13. April 2021
- Veröffentlichung
- 19. Oktober 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C23C16/44C23C16/455C30B25/14// C30B29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Siltronic AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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