Verfahren zum Herstellen von Halbleiterscheiben mit aus der Gasphase Abgeschiedener Epitaktischer Schicht in einer Abscheidekammer
EP4075489
Art B1
28. Februar 2024
Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4075489
- Aktenzeichen
- EP21168164
- Anmeldetag
- 13. April 2021
- Veröffentlichung
- 28. Februar 2024
- Erteilung
- 28. Februar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/68
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Siltronic AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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