Grabenabschlussstruktur für Halbleiterbauelement

EP4075518 Art A1 19. Oktober 2022

Anmelder: Nexperia B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4075518
Aktenzeichen
EP21168358
Anmeldetag
14. April 2021
Veröffentlichung
19. Oktober 2022
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/872H01L29/06H01L21/329
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Nexperia B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 Nexperia

Der Anmelder ist ein niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Nijmegen, der als Ausgründung aus NXP Semiconductors hervorging. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und Elektrobauelemente, ergänzt durch Elektronik, Schaltungstechnik und elektrische Energietechnik. Anmeldungen laufen seit 2009 durchgehend fort.

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