Ferroelektrische Speicherzellenabtastung mit Niedriger Spannung

EP4091168 Art A1 23. November 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4091168
Aktenzeichen: EP21741972
Anmeldetag: 6. Januar 2021
Veröffentlichung: 23. November 2022
Rechtsraum: EP
IPC: G11C11/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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