Thermisch Verbesserte Leiterplatte Für, mittels Durchkontaktierungstechnik Verbundenen, Leistungshalbleiterchip und Anordnung mit Verwendung Dieser Leiterplatte
EP4095898
Art A1
30. November 2022
Anmelder: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V., Mitsubishi Electric Corporation 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4095898
- Aktenzeichen
- EP21305679
- Anmeldetag
- 25. Mai 2021
- Veröffentlichung
- 30. November 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/367H01L23/498H01L23/538
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.
Mitsubishi Electric Corporation - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
Mitsubishi Electric R&D Centre Europe
Niederländische Forschungs- und Entwicklungseinrichtung des japanischen Mitsubishi-Electric-Konzerns. Betreibt technologische Forschung für Elektronik-, Kommunikations- und Automatisierungslösungen für den europäischen Markt.
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🇯🇵
Mitsubishi Electric
Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.
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