Verfahren zum Abscheiden einer Epitaktischen Schicht auf einer Substratscheibe aus Halbleitermaterial in einer Abscheidevorrichtung
EP4098782
Art A1
7. Dezember 2022
Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4098782
- Aktenzeichen
- EP21177025
- Anmeldetag
- 1. Juni 2021
- Veröffentlichung
- 7. Dezember 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B25/12C23C16/458C23C16/52C30B25/16H01L21/67C30B25/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Siltronic AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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