Behandlungen nach der Anwendung/belichtung zur Verbesserung der Trockenentwicklungsleistung von Metallhaltigem Euv-Resist
EP4100793
Art A1
14. Dezember 2022
Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4100793
- Aktenzeichen
- EP21751164
- Anmeldetag
- 29. Januar 2021
- Veröffentlichung
- 14. Dezember 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G03F7/38G03F7/36G03F7/16H01L21/027G03F7/004G03F7/26
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Lam Research Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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Vertreten von
-
Mewburn Ellis LLP
Mewburn Ellis LLP · München