Dreidimensionaler Speicher und Verfahren zur Seiner Herstellung

EP4109537 Art A3 22. März 2023

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4109537
Aktenzeichen
EP22170124
Anmeldetag
24. Juni 2011
Veröffentlichung
22. März 2023
Rechtsraum
EP
IPC
H10B41/27H01L21/28H01L29/66H01L27/06H01L29/788H01L29/792H10B41/50H10B43/27H10B43/50H10B63/00// H10N70/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Micron Technology, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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