Dreidimensionaler Speicher und Verfahren zur Seiner Herstellung
EP4109537
Art A3
22. März 2023
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4109537
- Aktenzeichen
- EP22170124
- Anmeldetag
- 24. Juni 2011
- Veröffentlichung
- 22. März 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B41/27H01L21/28H01L29/66H01L27/06H01L29/788H01L29/792H10B41/50H10B43/27H10B43/50H10B63/00// H10N70/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
3.194 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
-
Marks & Clerk LLP
Marks & Clerk LLP · Luxembourg