Einstellung von Lesespannungspegeln auf Basis einer Programmierten Bitzahl in einem Speicheruntersystem
EP4121963
Art A1
25. Januar 2023
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4121963
- Aktenzeichen
- EP21772648
- Anmeldetag
- 17. März 2021
- Veröffentlichung
- 25. Januar 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/26G11C16/30G11C16/10G11C16/34
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Fachgebiete
Vertreten von
-
Marks & Clerk LLP
Marks & Clerk LLP · Luxembourg