Substrat mit einem Hochdichten Verbindungsabschnitt, der in einer Kernschicht Eingebettet Ist
EP4122003
Art B1
21. Januar 2026
Anmelder: QUALCOMM INCORPORATED 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4122003
- Aktenzeichen
- EP21728702
- Anmeldetag
- 5. Mai 2021
- Veröffentlichung
- 21. Januar 2026
- Erteilung
- 21. Januar 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/48H01L23/498
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- QUALCOMM INCORPORATED
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Qualcomm
US-amerikanisches Halbleiter- und Technologieunternehmen mit Sitz in San Diego. Qualcomm entwickelt Chipsätze und drahtlose Kommunikationstechnologien für Mobiltelefone, Netzwerke, Automobile und vernetzte Geräte.
20.973 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Kanzlei
Wagner & Geyer
München, Deutschland
Wagner & Geyer wurde 1972 von Karl H. Wagner in München gegründet und fusionierte 1983 mit Dr. Ulrich F. Geyer. Neben Patenten begleitet die Kanzlei Designs, Gebrauchsmuster und Marken im internationalen Partnernetzwerk und berät traditionell eng mit japanischen Mandanten auf Deutsch, Englisch und Japanisch.
12.036
Patente gesamt
6
Patentanwälte
1
Standorte