Integrierter Schaltungschip mit einer Passivierungsnitridschicht in Kontakt mit einem Hochspannungs-Bondpad und Herstellungsverfahren
EP4131364
Art A3
14. Juni 2023
Anmelder: STMicroelectronics S.r.l. 🇮🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4131364
- Aktenzeichen
- EP22188099
- Anmeldetag
- 1. August 2022
- Veröffentlichung
- 14. Juni 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/31H01L21/60// H01L23/522
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- STMicroelectronics S.r.l.
- Land
- 🇮🇹 Italien
🇮🇹
STMicroelectronics Italy
Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
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Fachgebiete
Vertreten von
-
Studio Torta S.p.A
Studio Torta S.p.A · Treviso